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ニュース / 世界重要トピックス
磁気トンネル接合の熱起電力を利用したアプリケーションの可能性
2011年10月31日

ドイツ物理技術研究所(PTB: Physikalisch-Technische Bundesanstalt)のLiebingらは、磁気トンネル接合における熱起電力が、磁気モーメントの方向によって大きく変化することを発見しまし た。省電力デバイスへの応用が期待されています。


1 ナノメートル厚の絶縁層(MgO)をCoFeBではさんだ磁気トンネル接合(CoFeB/MgO/CoFeb)で、上の図でいうと上部と下部のCoFeB の磁気モーメントの向きが、同じ場合と180度異なる場合とで、電気抵抗が大きく異なることは、以前から知られていました。

この効果は、メモリ素子MRAMに使われています。(下図)


(図:Wikipedia)

PTBは、上下層の磁気モーメントの向きを変えると、熱起電力が大きく変化することを発見しました。

この効果を活用すると、例えば、プロセッサの排熱を利用して、超低消費電力で作動するスイッチやメモリを作ることができるとのことです。

熱電効果や熱磁気効果を活用したナノデバイスの可能性は、いろいろとあるかも知れません。

情報源:WBB 最新情報 NTTデータ経営研 シニアスペシャリスト 竹内敬治

http://wirelessbroadband.seesaa.net/article/232838209.html



参考情報:
Magnetic Nanoswitch for Thermoelectric Voltages
Due to a recently discovered effect in magnetic tunnel structures, thermoelectric voltages in nano-electronic junctions can be controlled
(2011年10月24日、PTB)
Tunneling Magnetothermopower in Magnetic Tunnel Junction Nanopillars
Phys. Rev. Lett. 107, 177201 (2011)

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